KLA R50 四探針電阻率測量儀

KLA R50 四探針電阻率測量儀產(chǎn)品介紹：

KLA R50 四探針電阻率測繪系統(tǒng)是KLA電阻測試系列的產(chǎn)品。電阻測量和監(jiān)控對于任何使用導(dǎo)電薄膜的行業(yè)都相當(dāng)重要，從半導(dǎo)體制造到可穿戴技術(shù)所需的柔性電子產(chǎn)品。KLA R50 四探針電阻率測量儀在金屬膜均勻性分布、離子摻雜和注入表征、薄膜厚度和電阻率分布、以及非接觸膜厚等量測領(lǐng)域均可涉及。

KLA R50 四探針電阻率測量儀優(yōu)勢：

• 接觸式四點(diǎn)探針(4PP)和非接觸式電渦流(EC)配置；

• 100mmZ行程,高精度控制；

• 導(dǎo)體和半導(dǎo)體薄膜電阻，10個(gè)數(shù)量級范圍適用；

• 測試點(diǎn)自定義編輯,包括矩形、線性、極坐標(biāo)以及自定義配置;

• 200mmXY電動平臺;

• RSMapper軟件靈活易用;

• 兼容KLA所有薄膜電阻測量探針;

KLA R50 四探針電阻率測量儀測量原理：

四點(diǎn)探針(4PP)由四個(gè)導(dǎo)電探針組成的探頭以可控力接觸導(dǎo)電層表面,其中在被測導(dǎo)電層和襯底之間有非導(dǎo)電阻擋層。標(biāo)準(zhǔn)測量的探針配置是在兩個(gè)外側(cè)探針之間施加電流并在兩個(gè)內(nèi)側(cè)探針之間測量電壓。測量薄膜電阻時(shí)，導(dǎo)電層厚度應(yīng)小于兩個(gè)探針之間距離的1/2。KLA在R50四探針電阻率測量儀上研發(fā)了雙模技術(shù)，該技術(shù)允許測量間隔探針上的電壓，并配置了邊界效應(yīng)動態(tài)校正和探針間距誤差補(bǔ)償功能。KLA提供了豐富的探針類型以適用和優(yōu)化不同表面材料的特性表征測量，幾乎可用于任何導(dǎo)電薄膜或離子注入層。

電渦流(EC)是非接觸式導(dǎo)電薄膜測量技術(shù)。通過線圈施加時(shí)變電流以產(chǎn)生時(shí)變磁場，當(dāng)該磁場靠近導(dǎo)電表面時(shí)，會在該表面中產(chǎn)生感應(yīng)時(shí)變電流（渦流)。這些電渦流反過來會產(chǎn)生它們自己的時(shí)變磁場，該磁場與探針線圈耦合并產(chǎn)生與樣品的電阻成比例的信號變化。KLA特殊的EC技術(shù)，單個(gè)探頭位于樣品頂部，可以動態(tài)的調(diào)整每個(gè)測量點(diǎn)的探頭高度，這對測量的準(zhǔn)確性和重復(fù)性相當(dāng)重要。EC法不受探頭尺寸或表面氧化的影響，非常適合較軟的或其它不適用于4PP接觸法測量的樣品。

KLA R50 四探針電阻率測量儀行業(yè)應(yīng)用：

KLA R50 四探針電阻率測量儀產(chǎn)品應(yīng)用：

一、金屬薄膜均勻性

金屬薄膜的薄膜電阻均勻性對于確保元件性能相當(dāng)重要，大多數(shù)金屬薄膜都可以通過4PP和EC進(jìn)行測量。EC推薦用于較厚的高導(dǎo)電金屬膜，4PP適用于較薄的金屬膜(>10Ω/sq)，但無論如何，4PP/EC均表現(xiàn)出很高相關(guān)性，從而可以確保使用任何一種方法都可以獲得準(zhǔn)確的結(jié)果。KLA R50 四探針電阻率測量儀電阻分布圖可以表征薄膜均勻性、沉積質(zhì)量及其它工藝波動。

二、離子注入表征

4PP法是衡量離子注入工藝的標(biāo)準(zhǔn)測量技術(shù)。在熱退火后通過測試離子注入分布可以識別由于燈故障、晶圓/平臺接觸不良或注入劑量變化而引起的熱點(diǎn)和冷點(diǎn)。對于硅離子注入層，熱退火工藝對于活化摻雜離子是必要的。

三、薄膜厚度/電阻率/薄膜電阻

通過采集的晶圓數(shù)據(jù)，KLA R50 四探針電阻率測量儀可以繪制出薄膜電阻、薄膜厚度或電阻率分布圖。通過輸入材料的電阻率,可以計(jì)算和顯示膜厚分布;或者通過輸入膜厚數(shù)據(jù),則可以計(jì)算電阻率分布。

四、數(shù)據(jù)采集和可視化

KLA R50 四探針電阻率測量儀的RSMapper軟件將數(shù)據(jù)采集和強(qiáng)大的分析功能結(jié)合在一起，擁有直觀的可視化界面，即可以用于設(shè)備本身，也可以進(jìn)行離線使用。軟件自帶的各種坐標(biāo)布局工具可以幫助用戶輕松設(shè)置數(shù)據(jù)測量點(diǎn)。

KLA R50 四探針電阻率測量儀產(chǎn)品參數(shù)：

KLA R50 四探針電阻率測量儀測量圖：